光伏(fu)在保證內(nei)部收益率在8%的(de)情況下(xia)實現發電側(ce)平價上網，則裝機成本仍需下(xia)降(jiang)14%-21%。

光伏平(ping)價上網臨近，根據各(ge)類(lei)資(zi)源(yuan)區實際情(qing)況(kuang)測算，在(zai)保證(zheng)內部(bu)收益率在(zai)8%的(de)(de)情(qing)況(kuang)下(xia)實現(xian)發電(dian)側平(ping)價上網，則裝機(ji)成本仍(reng)需下(xia)降14%-21%。國融證(zheng)券的(de)(de)最新研究(jiu)報告認(ren)為，硅(gui)成本本身(shen)下(xia)降空間(jian)有限(xian)，降低非硅(gui)成本是關(guan)鍵。

目前，除(chu)少數地區(qu)具備較(jiao)優質資源(yuan)，早期實現平價(jia)上(shang)網，大部分地區(qu)仍需(xu)要一定補貼才能維持(chi)。根(gen)據統計(ji)，三類(lei)資源(yuan)區(qu)的平均(jun)燃煤標桿度點電價(jia)分別為(wei)(wei)0.30元(yuan)(yuan)(yuan)、0.34元(yuan)(yuan)(yuan)、0.38元(yuan)(yuan)(yuan)。按照電站發(fa)電壽命20年(nian)，第一年(nian)光衰3%，后續(xu)年(nian)光衰0.7%，年(nian)2%營(ying)運費用，內部收益率(lv)為(wei)(wei)8%，每(mei)瓦(wa)建設(she)成本4元(yuan)(yuan)(yuan)進行測算，三類(lei)資源(yuan)區(qu)距(ju)離上(shang)網電價(jia)平均(jun)仍有17.29%的差距(ju)。即(ji)還需(xu)要裝機成本下降近(jin)20%，才能實現我國(guo)全地域(yu)的發(fa)電側平價(jia)上(shang)網。

無論(lun)從硅(gui)(gui)料的(de)價格區間還是硅(gui)(gui)片生產成(cheng)本來(lai)看(kan)，經歷此前的(de)快速下(xia)降(jiang)后，未來(lai)下(xia)降(jiang)空間有限。并且，由(you)于硅(gui)(gui)材料及硅(gui)(gui)片在向下(xia)游傳導時成(cheng)本占比逐漸遞減，因(yin)此當反(fan)應到(dao)電站成(cheng)本時，其敏感度不明顯。因(yin)此，未來(lai)光(guang)伏成(cheng)本下(xia)降(jiang)主(zhu)要依靠非硅(gui)(gui)成(cheng)本下(xia)降(jiang)帶動。

非硅成(cheng)(cheng)本(ben)下降主要由以下路徑(jing)實現(xian)：第(di)(di)一，提(ti)升(sheng)光(guang)伏(fu)(fu)產品(pin)的(de)轉化效率，直接降低(di)光(guang)伏(fu)(fu)電站建設的(de)單瓦組件成(cheng)(cheng)本(ben)；第(di)(di)二，企業通過規(gui)模(mo)效應(ying)降低(di)成(cheng)(cheng)本(ben)，熨(yun)平周期波(bo)動；第(di)(di)三，通過工(gong)藝改進等方式實現(xian)生產成(cheng)(cheng)本(ben)的(de)繼續(xu)壓縮(suo)。

轉換(huan)效率的(de)(de)提升(sheng)對整體(ti)降本(ben)(ben)而言意義(yi)重大。下游電(dian)(dian)(dian)站(zhan)建設過程中，主要衡(heng)量(liang)電(dian)(dian)(dian)池(chi)組件的(de)(de)單(dan)瓦成(cheng)本(ben)(ben)。而若電(dian)(dian)(dian)池(chi)本(ben)(ben)身(shen)轉換(huan)效率直接提升(sheng)，將(jiang)從分母端直接影響單(dan)瓦成(cheng)本(ben)(ben)，也相當于固定的(de)(de)成(cheng)本(ben)(ben)被更多的(de)(de)功(gong)率數(shu)所(suo)分攤。因此，提升(sheng)電(dian)(dian)(dian)池(chi)片(pian)的(de)(de)轉換(huan)效率，是(shi)降低光伏電(dian)(dian)(dian)站(zhan)成(cheng)本(ben)(ben)最直接，也是(shi)最有效的(de)(de)。

單晶(jing)依(yi)靠PERC繼續(xu)提升轉(zhuan)(zhuan)換效(xiao)率。PERC單晶(jing)轉(zhuan)(zhuan)換效(xiao)率近年來一直穩步(bu)提升，并且不斷(duan)打破(po)紀(ji)錄。根據公開信息，已經有企業(ye)成功突破(po)了此(ci)前PERC電池轉(zhuan)(zhuan)換效(xiao)率24%的瓶頸。未來，隨著新型增加轉(zhuan)(zhuan)換效(xiao)率技術的成熟，單晶(jing)轉(zhuan)(zhuan)換效(xiao)率將持續(xu)提升。

多(duo)(duo)晶(jing)(jing)則(ze)依靠黑(hei)(hei)硅(gui)提(ti)升(sheng)轉換效率(lv)。多(duo)(duo)晶(jing)(jing)金剛線(xian)硅(gui)片(pian)采用(yong)常規酸制絨(rong)無(wu)法實現(xian)良(liang)好的表面結構，甚至無(wu)法形成絨(rong)面，這(zhe)導致金剛線(xian)硅(gui)片(pian)的反射率(lv)大(da)幅提(ti)升(sheng)，從而對電(dian)池效率(lv)產生負面影響。黑(hei)(hei)硅(gui)技(ji)術(shu)可以完美解決多(duo)(duo)晶(jing)(jing)制絨(rong)問題，既能提(ti)升(sheng)電(dian)池效率(lv)又能降低電(dian)池成本，對多(duo)(duo)晶(jing)(jing)未來的發展前景至關重要(yao)。目前投入(ru)運(yun)營的黑(hei)(hei)硅(gui)技(ji)術(shu)包括制絨(rong)添(tian)加(jia)劑技(ji)術(shu)、表面預處理(li)技(ji)術(shu)、濕法黑(hei)(hei)硅(gui)技(ji)術(shu)和干法黑(hei)(hei)硅(gui)技(ji)術(shu)，其中濕法黑(hei)(hei)硅(gui)技(ji)術(shu)性(xing)價比相對較高(gao)。